1967. godine istraživači Morton Panish i Izuo Hayashi iz Bell Laboratories predložili su mogućnost stvaranja prikladnog višeslojnog kristala koristeći modificirani oblik GaAs, u kojem bi se neki atomi galija zamijenili atomima aluminija, proces nazvan dopiranje.

Međuatomski razmak u modificiranom spoju GaAs razlikovao bi se od međuatomskog razmaka u spoju čistog GaAs za svega 1 promil.

Istraživači su pretpostavili da bi se naraštanjem kristala s obje strane GaAs laserska akcija u AlGaAs ograničila samo unutar tankog sloja GaAs.

dobar tekst, potpuno se slazem, nisu postigli sta su najavili... ja sam nakon uvodne animacije mislio uf ovo ce bit nesto bolesno dobro a ono kurac... bas nema atmosfere neke: (Gaas 28.11.2007. 09:20

Jedan od takvih poluvodiča, galij arsenid, GaAs, postao je jako važan u potrazi za efikasnim laserom koji bi se mogao koristiti u komunikacijama.

Cijeli je niz fundamentalnih istraživanja koja su morala prethoditi korištenju GaAs kao osnove za poluvodički laser: studije o naraštanju kristala visoke čistoće sloj po sloj, istraživanje defekata, dapanda (nečistoće dodane čistoj tvari radi mijenjana njenih svojstva) i analize utjecaja topline na stabilnost spoja.

Slijedeći napretke u tim granama, grupa istraživača zaposlenih u General Electric, IBM, i Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Tecghnology, razvila je 1962. GaAs laser.

Laseri koji su napravljeni od jednog poluvodiča, obično GaAs, nisu jako efikasni.

Nanočestični materijali koje planiramo istraživati primjenom novo-razvijenih kao i postojećih metoda su: samoorganizirane Ge nanočestice u amorfnoj SiO2 matrici, nanočestice dijamanta pripravljene metodom implantacije C iona u amorfnu SiO2 matricu i magnetične MnAs nanočestice u kristalnoj GaAs matrici.

U poluvodičkoj tehnologiji ultračisti galij koristi se kao dopirajuća primjesa, a u spoju s arsenom, galijev arsenid (GaAs), kao poluvodički materijal (vidi: Spojevi galija).

- Galijev arsenid (GaAs) i galijev fosfid (Gap) važni su poluvodički materijali za izradu elektroluminescentnih i telekomunikacijskih elemenata.

U rujnu 1991. godine sam, po pozivu organizatora, održao predavanje o projektiranju i gradnji bezuvjetno stabilnih GaAs pretpojača za EME na najvećem evropskom skupu VHF/UHF radioamatera u Vanhajmu u Njemačkoj gdje se okupi preko 35.000 zaljubljenika u VHF/UHF amaterske radio komunikacije, među kojima ima i onih koji se bave ili su zainteresirani za EME rad.

ja ocekivao Age of Conan MMORPG a ono neki truli konan za konzolu:), enivej dobar tekst Gaas 11.10.2007. 15:13

Ispred svakog ulaza u transverter na prijemnoj strani bio je po jedan niskošumni GaAs FET predpojačavač, a na višim opsezima i po dva, koji su se nalazili u samom iluminatoru na anteni.

Npr. za GaAs lasere taj energijski rascjep iznosi 1.45 eV, što odgovara emisiji fotona valne duljine 885 nm.

Novoizabrani predsjednik Hassan Sheikh Mahamud, premijer Abdiweli Mohamed Ali Gaas i kenijski ministar vanjskih poslova Sam Ongeri preživjeli su aktualne bombaške napade u Mogadishu, prema izvješćima lokalnih medija.

Za pogon će se rabiti GaAs solarne ćelije s litij-ionskim baterijama, dok za lansiranje rabit raketa-nosač Lockheed-Martin Atlas V (501). A kako vi mislite da ču se iranci boriti protiv ovakvog bacanja bombi.padat če im danima po glavama.Teheran-Washington je oko 10,000 km.. njihovoj raketi treba 10 sati do amerike.. i to preko moskve prikaži cijeli komentar

Dosta se koristi za materijale kao što su GaAs, AlGaAs, InGaAs i InAlAs. [ 18 ]

Galij indijum fosfidna/galij arsenid (GaInP)/GaAs dvoslojna ćelija ima iskoristivost od 30 % i koristi se u komercijalne svrhe za svemirske aplikacije.

Na prijemu su korištena dva niskošumna GaAs FET pretpojačala, filter i pojačalo od približno 20 dB koji su bili neophodni zbog 200 metara kabela do radne prostorije.

svaka ti dala, 2 para sandala:), zanimljiv tekst samo nikako se ne uklapa sa ocjenom:) al dobro je: P Gaas 12.01.2008. 18:58

Cray-2, njegovo drugo superračunalo, trebalo je biti prvo koje će raditi uz pomoć GaAs (galij-arsenidnih) čipova, no kako ih nije mogao nabaviti, stavio je standardne silicijske.

Crveni laseri (tipično AlGaInP na GaAs podlozi) već su dugo tu, i našli su vrlo široku primjenu: za štampanje u laserskim pisačima, čitanje bar-kodova, optičkom pohranjivanju podataka (CD-romovi), pumpanju drugih lasera itd.

Ćelije od Galij-arsenida prave se u obliku tankog filma od jedne (GaAs) ili dviju komponenta (GaAs Cu2S).

Elektronika i mikroelektronika: Primjene poluvodičkih materijala u nestandardnim poljima; novi poluvodički grijaći elementi i temperaturni senzori; moderne homospojne i heterospojne tranzistorske strukture; novi bipolarni tranzistor s horizontalnim tokom struje (HCBT); razvoj modela poluvodičkih elemenata; modeliranje pasivnih elemenata; razvoj simulacijskih metoda i njihova primjena u mikroelektronici; razvoj metoda topološkog dizajna za VLSI i ULSI sklopove; analiza i dizajn analognih i digitalnih integriranih sklopova u bipolarnoj, CMOS, BiCMOS i GaAs tehnologiji; fizički dizajn rasporeda elemenata i verifikacija mikroprocesorskih integriranih sklopova; mjerenja DC i RF karakteristika na čipu

Naš kolega Gaas je bio na prezentaciji u Zagrebu, a nagovorili smo ga da nam opiše kako je bilo.

Iza složenog naziva AlGaAs/GaAs VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) krije se Panasonicov laser valne duljine 850 nm koji omogućava rekordne brzine prijenosa podataka od 12,5 Gb/s pri nazivnoj struji od 8 mA.

Efikasnost pretvobe fotonaponskih (na bazi Si i GaAs) članaka je oko 20 %